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EF130是0.13微米SONOS闪存存储工艺，它具备稳定性好、高可靠性、低功耗、抗辐照能力强以及易与标准CMOS工艺兼容的特点。与其他嵌入式NVM技术相比，由于此项工艺所需的掩膜较少，Cell面积小(SRAM:1.896um2 NVM:0.6192um2)，数据保持能力达到十年以上，擦写性能超过100K，使得客户产品的性价比得到质的飞跃。同时EF130提供高性能电容，高阻抗poly电阻等可选工艺方便混合信号电路产品的设计。这是在微处理器，通信类，消费类以及智能卡应用领域最受欢迎的嵌入式非挥发性存储平台之一。
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| 工艺特征 |
| Isolation |
STI |
| Well Formation |
Retrograded well |
| Gate Formation |
N+ Poly |
| ILD |
PSG/CMP |
| Contact |
Ti/TiN/W-Plug |
| IMD |
TEOS-NSG/CMP |
| Via |
Ti/TiN/W-Plug |
| Metal |
AlCu/Ti/TiN |
| Passivation |
SiO2/SiN |
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| 设计性能 |
| Parameter |
Unit |
Value |
| Vcc |
V |
1.8/5.0 |
| Tox (physical) |
A |
32/110 |
| Vt N/P |
V |
0.6996/-0.7813 |
| Idsat N/P |
uA/um |
500/-190 |
| Ioff N/P |
pA/um |
0.7/-12 |
| R.O. Delay |
pS/Stage |
NA |
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| 设计关键指标 |
| Layer |
W/S |
| Diffusion |
0.14/0.27 |
| Poly |
0.15/0.21 |
| Contact 0 |
0.17/0.17 |
| Metal 0 |
0.14/0.14 |
| Contact 1 |
0.17/0.19 |
| Metal 1 |
0.14/0.14 |
| Via 1 |
0.15/0.17 |
| Metal 2 |
0.14/0.14 |
| Via2 |
0.28/0.28 |
| Metal 3 |
0.36/0.36 |
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